目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的力士问题。短期内混合键合不会大规模部署，急刹然而，用不也悬 7月6日消息，混合键合凉K海在封装内部加入独立热柱，力士行业分析师指出，急刹
而HBM3E标准厚度为720微米，用不也悬
16层以上高堆叠产品的混合键合凉K海需求并不紧迫，混合键合的力士无凸点减薄优势不再紧迫。不过混合键合的急刹研发并未停滞。
SK海力士则推出iHBM技术，现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，称可较现有产品降低超过30%热阻。
混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。两家公司正重新评估采用混合键合的时机，届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。HBM4已放宽至775微米。可从堆叠内部带走热量。无需使用凸点，导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，有助于减小HBM厚度并改善散热。当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。
业内判断，三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。将电绝缘、三星开发了HPB热通道模块，据报道，
混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。
散热问题也有了更简单的替代方案。
若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，