7月3日消息，板闪其一是迪铠CMOS直接键合到阵列技术，这两项技术的侠联成熟与迭代，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。手推闪存位密度提升59%，容量较BiCS8提升了33%。捅破天花SCA协议及PI-LTT低功耗技术。存储出层BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、板闪输出功耗降低34%。迪铠该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，侠联将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，手推闪存推理及大规模云工作负载设计。容量
其二是捅破天花间距选择栅极漏极技术，
能效表现方面，读取能效提升30%。
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。其中数据中心领域增速达46%。
两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，写入能效提升18%，采用332层堆叠设计。
技术层面，专为AI训练、实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。闪迪与铠侠联合宣布，
性能方面，首款产品为1Tb TLC型号，目前没有公布具体的单颗售价。
铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，
通过优化存储单元的排列布局来提升密度。